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日立製作所 は 、 耐圧 3.3kV の SiC ダイオード を 搭載 した 、 鉄道用 モータ 向 け インバータ 装置 を 開発 した （ 発表資料 ） 。 日本 の ff線 の 多 くが 採用 する 、 直流 1500V f線 に 対応 する 。 開発品 の 特徴 は 、 Si 製 パワー 素子 を 利用 した インバータ 装置 と 比較 して …
アルバック は 、 Si 基板上 に 作製 する パワー 半導体 などにおいて 、 従来 は ff法 や 印f法 を 用 いてきた 「 はんだ 成f工程 」 を スパッタリング で 実現 する 技術 を 開発 した 。 この 手法 では 、 各種 デバイス の 電f膜 として 使 う Au 膜 を 、 スパッタリング で 成膜 したはんだ 層 …
GaN に 関 しては 、 LED や 半導体 レーザ といった 発光素子 、 基地局向 け 高周f素子 で 製品化 されているものの 、 パワー 素子向 けの 製品化 は 始 まったばかりで 、 SiC の 後塵 を 拝 している 。 だが 、 その 状況 も 変 わりつつある 。 製造 コスト の 低減 と 、 電気特性 の 向上 が …
パワー 素子向 け SiC 製 トランジスタ に 関 しては 、 既 に 製品化 が 始 まっているものの 、 ダイオード よりも 普及 しておらず 、 ごく 一部 の 用途 にとどまる 。 トランジスタ は 、 ダイオード に 比較 して 製造 プロセス が 複雑 なため 、 歩留 まりも 低 く 、 高価 だからだ 。 さらに 、 以 …
新日本無線 は 2012 年 5 月 24 日 、 太 さ 200μm の Cu ワイヤ・ボンディング 技術 を SiC パワー・デバイス の 量産 に 適用 すると 発表 した （ ニュース・リリース ） 。 技術的 には 太 さ 500μm の Cu ワイヤ を SiC デバイス に ボンディング することにも 成功 しているとい …
アジレント・テクノロジー は 、 パワー 半導f評f装置 「 パワーデバイスアナライザー / カーブトレーサ 」 の 測定範囲 を 1500A / 10kV に 機能拡張 すると 発表 した 。 電圧 を 昇圧 する ユニット （ 装置 ） 「 N1268A 」 と 、 電流 を 増幅 する ユニット （ 装置 ） 「 N1 …
富士電機 は 、 SiC 製 ショットキー・バリア・ダイオード （ SBD ） を 利用 した 産業用 インバータ 「 FRENIC-MEGA GX-SiC シリーズ 」 を 2012 年 9 月 から 量産 する （ 発表資料 ） 。 SiC 製 パワー 素子 を 搭載 した 産業用 インバータ としては 、 「 国内 …
米 SemiSouth Laboratories 社 は 、 耐圧 650V と 耐圧 1700V の SiC 製 JFET 製品 を 発表 した 。 いずれも ノーマリー・オン 型 の パワー 素子 である （ 650V 品 の リリース 、 1700V 品 の リリース 、 ） 。
東京 エレクトロン は 、 ドイツ Infineon 社 から SiC パワー・デバイス の 量産 に 向 けた SiC エピタキシャル f成f装置 「 Probus-SiC 」 を 受注 し 、 2012 年夏 に 納入 する 。
GaN と SiC 製 パワー 素子 のうち 、 製品化 で 先行 するのが SiC である 。 中 でも SiC 製 ダイオード の 利用 が 今後急速 に 増 えそうだ 。
Generated 2012-6-2_5:15
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