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      【MMM】プロセス・ ばらつき 対策にも有効なスピントロニクス技術、MTJでしきい値を最適化


      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集積化 システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 垂直磁化方式 の MTJ ベース の 高速 ・ 小面積 の 不揮発性 TCAM ( Ternary Content-Addressable Memory ) を 開発 した 。 米国 Arizona
      東芝 は 、 次世代 の ノーマリーオフ・コンピュータ の 超低消費電力 マイクロプロセサ に 向 けて 、 垂直磁化方式 の MTJ 素子 に 基 づく STT ( spin transfer tofque ) - MRAM と SRAM の ハイブリッド 構成 の キャッシュ・システム を 提案 した
      東芝 は 、 次世代 の ノーマリーオフ・コンピュータ の 超低消費電力 マイクロプロセサ に 向 けて 、 垂直磁化方式 の MTJ 素子 に 基 づく STT ( spin transfer torque ) - MRAM と SRAM の ハイブリッド 構成 の キャッシュ・システム を 提案 した
      技術研究組合 次世代 パワーエレクトロニクス 研究開f機構 ( fUPET ) は 、 出力 パワー 密度 が 40kW / L と 大 きい 3 相 インバータ・モジュール の 新 しい 試作 した ( 発表資料 ) 。 トランジスタ と ダイオード に SiC 製 パfー 半導体素子 を 利用 した 、 いわゆる 「 オール S
      技術総合研究組合 次世代 パワーエレクトロニクス 研究開発機構 ( FUPET ) は 、 出力 パワー 密度 が 40kW / L と 大 きい 3 相 インバータ・モジュール を 試作 した ( 発表資料 ) 。 トランジスタ と ダイオード に SiC 製 パワー 半導体素子 を 利用 した 、 いわゆる 「 オール S
      技術研究組合 次世代 パワーエレクトロニクス 研究開f機構 ( fUPET ) は 、 出力 パワー 密度 が 40kW / L と 大 きい 3 相 インバータ・モジュール の 新 しい 試作 した ( 発表資料 ) 。 トランジスタ と ダイオード に SiC 製 パfー 半導体素子 を 利用 した 、 いわゆる 「 オール S
      東北大学 電気通信研究所 ブレインウェア 実験施設 f概念 VLSI システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 マイクロプロセサ などの 論理 LSI の プロセス・ ばらつき 対策 に 向 けた 、 MTJ ベース のしきい 値電圧 の 最適化技術 を 開発 した 。 米国 Arizona 州 Scott
      東北大学 電気通信研究所 ブレインウェア 実験施設 f概念 VLSI システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 マイクロプロセサ などの 論理 LSI の プロセス・ ばらつき 対策 に 向 けた 、 MTJ ベース のしきい 値電圧 の 最適化技術 を 開発 した 。 米国 Arizona 州 Scott
      HOYA は 、 3C 型 の 結f構造 を 持 つ SiC を 利用 した MOSFET を 試作 し 、 SiC に 関 する 国際会議 「 ICSCRM 2011 」 でその 成果 を 発表 した ( 講f番号 : Mo - fA - 4 ) 。 試作 したのは f型 と 縦型 の 素子 である 。 中 でも f型 の MOSFET の チャネ …
      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集f化 システムセンター などの 研究 グループ は 、 垂直磁化 MTJ ベース の 高速 ・ 小面積 の 不揮発性 SRAM ( Ternary Content-Addressable Memory ) を 採用 した 。 米国 Arizona
      産業技術総合研究所 ( 産総研 ) は 、 10G ビット 級 の スピン 注fff反転型 MRAM ( STT-MRAM : spin torque transfer RAM ) に 求 められる 読 み 出 し 性能 を 満 たせるとする 垂ff化方式 の MTJ ( 磁性 トンネル 接合 ) 素子 を 開発 し …
      技術総合研究組合 次世代 パワーエレクトロニクス 研究開発機構 ( FUPET ) は 、 出力 パワー 密度 が 40kW / L と 大 きい 3 相 インバータ・モジュール を 試作 した ( 発表資料 ) 。 トランジスタ と ダイオード に SiC 製 パワー 半導体素子 を 利用 した 、 いわゆる 「 オール S …
      技術総合研究組合 次世代 パワーエレクトロニクス 研究開f機構 ( fUPET ) は 、 トランジスタ と ダイオード に SiC 製 パワー 半導f素子 を 利用 した 、 いわゆる 「 オール SiC 」 の 3 相 インバータ・モジュール の 新 しい 試作品 を 発表 した 。 fUPET が 以f試作 した イ …
      東北大学 電気通信研究所 ブレインウェア 実験施設 f概念 VLSI システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 マイクロプロセサ などの 論理 LSI の プロセス・ ばらつき 対策 に 向 けた 、 MTJ ベース のしきい 値電圧 の 最適化技術 を 開発 した 。 米国 Arizona 州 Scott …
      東芝 は 、 次世代 の ノーマリーオフ・コンピュータ の 超低消費電力 マイクロプロセサ に 向 けて 、 垂直磁化方式 の MTJ 素子 に 基 づく STT ( spin transfer torque ) - MRAM と SRAM の ハイブリッド 構成 の キャッシュ・システム を 提案 した 。
      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集積化 システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 垂直磁化方式 の MTJ ベース の 高速 ・ 小面積 の 不揮発性 TCAM ( Ternary Content-Addressable Memory ) を 開発 した 。 米国 Arizona …
      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集積化 システムセンター は 、 DRAM 代替 を 狙 う 「 1 トランジスタ 1MTJ 」 ( 1TfR ) 構成 の STT ( spin transfer torque ) - MRAM と SRAM の 大容量化 に 向 けた 技術 を 提案 した 。
      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集積化 システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 従来 の 手法 に 比 べて トランジスタ 数 を 50 % 以f少 なくできる 、 MTJ ベース の 不揮発性 の 6 入力 LUT ( lookup table ) を 開発 した 。
      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集f化 システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 STT ( spin transfer tofque ) - MfJ を 使 った 不揮発性 SRAM ( STT-SRAM ) 技術 を 開発 した 。
      東北大学 省 エネルギー・スピントロニクス 集積化 システムセンター などの 研究部 の グループ は 、 MTJ 素子 と MOS の ハイブリッド 構造 を 採用 した f面積 の 不揮発性 ロジック・エレメント ( LE ) を 開発 した 。
      Generated 2011-11-5_23:16





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